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结果: 找到相关主题 5844 个

  • 图文分析:Layout中的MOS管电容-KIA MOS管

    当Gate的电压是一个负值时,在靠近衬底的氧化层面,会吸引空穴,这时候的NMOS管工作在积累区,形成了以Gate和空穴为极板,氧化层为介质的电容。

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    www.kiaic.com/article/detail/4178.html         2023-04-12

  • 无刷电机选型40V80A KNX3404C TO-252 送样-KIA MOS管

    KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。

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    www.kiaic.com/article/detail/4177.html         2023-04-11

  • MOS管栅极下拉电阻的阻值选取-KIA MOS管

    为了稳定性,我们一般会在MOS管的栅极加个下拉电阻,在上电的时候把栅极拉低,不让MOS管导通。不过,这个下拉电阻阻值的选择是很关键的。

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    www.kiaic.com/article/detail/4176.html         2023-04-11

  • 【MOS管结构】MOS管导电沟道的形成-KIA MOS管

    NMOS管内部结构图如下,导电沟道未形成前,漏极和源极之间有一反向PN结,在Ugs=0时,漏极和源极之间无电流(PN结击穿情况等不考虑)。

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    www.kiaic.com/article/detail/4175.html         2023-04-11

  • 【精选图文】MOS管开关电路实例分享-KIA MOS管

    栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件,因此灯负载要么“打开”,(V GS = +ve),要么处于将器件“关闭”的零电压电平,(V GS = 0V)。

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    www.kiaic.com/article/detail/4174.html         2023-04-10

  • MOS管理想的开关特性、实用开关特性-KIA MOS管

    对于像mos管这样的半导体器件,要充当理想的开关,它必须具有以下特性:在 ON 状态下,它可以承载的电流量不应有任何限制。

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    www.kiaic.com/article/detail/4173.html         2023-04-10

  • MOS管各种泄漏电流的原因分析-KIA MOS管

    MOS 晶体管正在按比例缩小,以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,泄漏电流变得很大,并有助于功耗。

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    www.kiaic.com/article/detail/4172.html         2023-04-10

  • 【图文分享】MOSFET的截止频率计算-KIA MOS管

    在MOS源极和漏极接交流地时,器件的小信号电流增益降至1的频率称为:“transit frequency”(fT)截止频率

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    www.kiaic.com/article/detail/4171.html         2023-04-07

  • 电机PWM驱动--MOSFET寄生二极管功耗-KIA MOS管

    当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时,其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机电流。然而实际上,有时功耗可能会大于这个计算值。

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    www.kiaic.com/article/detail/4170.html         2023-04-07

  • 图文详解MOSFET的开关及其温度特性-KIA MOS管

    栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。

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    www.kiaic.com/article/detail/4169.html         2023-04-07

  • MOSFET的寄生电容 静电容量分析-KIA MOS管

    在构造上,功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘,在DS(漏极、源极)间形成PN接合,成为内置二极管构造。其中,Cgs、Cgd的容量根据氧化膜的静电容量决定,Cds根据内置二极管的接合容量决定。

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    www.kiaic.com/article/detail/4168.html         2023-04-06

  • 电路设计:MOSFET内部二极管应用逆变器-KIA MOS管

    MOSFET中用内部二极管,保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。

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    www.kiaic.com/article/detail/4167.html         2023-04-06

  • MOSFET驱动器的功率损耗三个公式-KIA MOS管

    对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量,无论充放电过程快或慢(栅极电压的上升和下降)。因此,MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载产生的驱动器功耗。

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    www.kiaic.com/article/detail/4166.html         2023-04-06

  • MOSFET驱动器电路配置图文分享-KIA MOS管

    使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候,由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感,需要考虑额外的钳位电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/4165.html         2023-04-04

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